WLR200 与探针台(Wafer Prober)的组合 用于评估时间依赖介质击穿（TDDB）及栅氧化膜可靠性的测量系统
什么是 TDDB（Time Dependent Dielectric Breakdown，时间依赖性介质击穿）？
TDDB（时间依赖性介质击穿）是指在低于瞬时 击穿电压的电场或电压条件下，对氧化膜等绝缘 膜长期施加电压时，绝缘膜会随着时间逐渐劣化， 最终发生绝缘击穿的一种现象。
在哪些地方会成为问题？
✓ TDDB 主要出现在 MOSFET 的栅极氧化膜 等由于器件微细化而变得极薄的氧化 膜中，是进行半导体器件寿命预测及可靠性设计时非常重要的评价项目。
✓ 随着近年来器件高电场工作化和薄膜化的发展，TDDB 已成为逻辑 IC、功率器件 等多种半导体器件中重要的失效因素之一
为什么要评价 TDDB？
通过对测得的击穿时间进行 Weibull（威布尔）分布等统计分析，可以估算器件的平均寿命以及在实际使用条 件下的使用寿命，从而用于实际产品的可靠性评价。TDDB 寿命越长，表示在相同电压和温度条件下，绝缘膜 在长期使用中越不容易发生击穿，器件的可靠性越高。
特点
High-side测量型栅极氧化膜击穿评价系统
采用主动屏蔽（Active Shield）技术，实现低噪声测量
作为 TDDB 评价方法，可实施以下 7 种测试方式 特点
【对应试验项目】
① 定电压应力法 ② 定电流应力法 ③ 定电压阶梯应力法 ④ 定电流阶梯应力法 ⑤ 电压斜坡法 ⑥ I-V 特性测量 ⑦ 电压突发应力法
High-side测量的必要性
在 TDDB 评价中，需要测量栅 极电流（Gate电流)。 此外，由于器件本身的结构特性， 栅极电极必须连接到加压电源的 正极（+侧），这一点构成了测 试上的限制条件。 在这种条件下对栅极电流进行测 量时，必须采用高端（High-side）测量方式，才能实现准确 的电流检测。
什么是 TDDB（Time Dependent Dielectric Breakdown，时间依赖性介质击穿）？
TDDB（时间依赖性介质击穿）是指在低于瞬时 击穿电压的电场或电压条件下，对氧化膜等绝缘 膜长期施加电压时，绝缘膜会随着时间逐渐劣化， 最终发生绝缘击穿的一种现象。
在哪些地方会成为问题？
✓ TDDB 主要出现在 MOSFET 的栅极氧化膜 等由于器件微细化而变得极薄的氧化 膜中，是进行半导体器件寿命预测及可靠性设计时非常重要的评价项目。
✓ 随着近年来器件高电场工作化和薄膜化的发展，TDDB 已成为逻辑 IC、功率器件 等多种半导体器件中重要的失效因素之一
为什么要评价 TDDB？
通过对测得的击穿时间进行 Weibull（威布尔）分布等统计分析，可以估算器件的平均寿命以及在实际使用条 件下的使用寿命，从而用于实际产品的可靠性评价。TDDB 寿命越长，表示在相同电压和温度条件下，绝缘膜 在长期使用中越不容易发生击穿，器件的可靠性越高。
特点
High-side测量型栅极氧化膜击穿评价系统
采用主动屏蔽（Active Shield）技术，实现低噪声测量
作为 TDDB 评价方法，可实施以下 7 种测试方式 特点
【对应试验项目】
① 定电压应力法 ② 定电流应力法 ③ 定电压阶梯应力法 ④ 定电流阶梯应力法 ⑤ 电压斜坡法 ⑥ I-V 特性测量 ⑦ 电压突发应力法
High-side测量的必要性
在 TDDB 评价中，需要测量栅 极电流（Gate电流)。 此外，由于器件本身的结构特性， 栅极电极必须连接到加压电源的 正极（+侧），这一点构成了测 试上的限制条件。 在这种条件下对栅极电流进行测 量时，必须采用高端（High-side）测量方式，才能实现准确 的电流检测。
