什么是“电迁移（Electromigration）”？
电迁移（Electromigration）是指在半导体芯片内 部的金属互连中，流动的电子逐渐推动金属原子 迁移，使配线的形貌和成分随时间发生变化，最 终导致开路或短路的失效现象。
易发生的条件
＊细线宽 / 高电流密度
＊高温
＊机械应力或结构缺陷
发生电迁移后，会在金属配线中形成空洞（Void） 或突起（Hillock）。
为什么需要评估电迁移（EM）？
随着集成电路不断微细化，金属互连线宽持续缩小，即使在相同的工作条件下，电迁移的影响也已无法忽视。 该现象会引发“随时间出现的失效（老化失效）”，被认为是限制产品寿命和可靠性的主要因素之一。
电迁移（EM）的评价容易吗？
并不容易！
原因 1： 需要在高温环境下进行测量
为了施加引发电迁移的应力，需要提供高达 350℃ 的高温。然而，普通烘箱会超过用于固定半导体芯片的封 装及夹具的耐热温度。因此，有必要仅对半导体芯片本身进行加热。此外，铝（Al）配线通常在 250℃、铜 （Cu）配线通常在 350℃ 条件下进行试验。如果低于上述温度，需要施加 100 小时以上才能观察到电阻变 化。
EMR100 通过自主开发的 DHS(直接加热系统)，可对目标半导体芯片直接加热至 350℃。
原因 2： 需要对一定数量的样品进行同时测量（样本数量越多越好）
其他测量设备通常需要根据所需通道数配置市售的 SMU 单元。但市售 SMU 体积较大，且单价较高。
EMR100 采用自主设计的 SMU，可集成于电路板尺寸内，并可在单个机架中实现最多 120 通道的同时测量。
原因 3： 样品电阻值具有温度依赖性（电阻温度系数，TCR）
通常情况下，每次改变温度条件时都需要进行修正计算。
EMR100 通过 TCR 测量模式掌握样品的温度特性，可对所有通道进行自动补正。
什么是“电迁移（Electromigration）”？
电迁移（Electromigration）是指在半导体芯片内 部的金属互连中，流动的电子逐渐推动金属原子 迁移，使配线的形貌和成分随时间发生变化，最 终导致开路或短路的失效现象。
易发生的条件
＊细线宽 / 高电流密度
＊高温
＊机械应力或结构缺陷
发生电迁移后，会在金属配线中形成空洞（Void） 或突起（Hillock）。
为什么需要评估电迁移（EM）？
随着集成电路不断微细化，金属互连线宽持续缩小，即使在相同的工作条件下，电迁移的影响也已无法忽视。 该现象会引发“随时间出现的失效（老化失效）”，被认为是限制产品寿命和可靠性的主要因素之一。
电迁移（EM）的评价容易吗？
并不容易！
原因 1： 需要在高温环境下进行测量
为了施加引发电迁移的应力，需要提供高达 350℃ 的高温。然而，普通烘箱会超过用于固定半导体芯片的封 装及夹具的耐热温度。因此，有必要仅对半导体芯片本身进行加热。此外，铝（Al）配线通常在 250℃、铜 （Cu）配线通常在 350℃ 条件下进行试验。如果低于上述温度，需要施加 100 小时以上才能观察到电阻变 化。
EMR100 通过自主开发的 DHS(直接加热系统)，可对目标半导体芯片直接加热至 350℃。
原因 2： 需要对一定数量的样品进行同时测量（样本数量越多越好）
其他测量设备通常需要根据所需通道数配置市售的 SMU 单元。但市售 SMU 体积较大，且单价较高。
EMR100 采用自主设计的 SMU，可集成于电路板尺寸内，并可在单个机架中实现最多 120 通道的同时测量。
原因 3： 样品电阻值具有温度依赖性（电阻温度系数，TCR）
通常情况下，每次改变温度条件时都需要进行修正计算。
EMR100 通过 TCR 测量模式掌握样品的温度特性，可对所有通道进行自动补正。
