即时检测 WAFER基板于研磨制程中的膜厚 玻璃基板于减薄制程中的厚度变化 (强酸环境中) 产品特色 非接触式、非破坏性光学式膜厚检测 采用分光干涉法实现高度检测再现性 可进行高速测量
产品特色
即时检测
WAFER基板于研磨制程中的膜厚
玻璃基板(强酸环境中)于减薄制程中的厚度变化
产品特色
● 非接触式、非破坏性光学式膜厚检测
● 采用分光干涉法实现高度检测再现性
● 可进行高速的即时研磨检测
● 可穿越保护膜、观景窗等中间层的检测
● 可对应长工作距离、且容易安裝于产线或者设备中
● 体积小、省空間、设备安装简易
● 可对应线上检测的外部信号触发需求
● 采用最适合膜厚检测的独自解析演算法。(已取得专利)
● 可自动进行膜厚分布制图(选配项目)
产品特色
即时检测
WAFER基板于研磨制程中的膜厚
玻璃基板(强酸环境中)于减薄制程中的厚度变化
产品特色
● 非接触式、非破坏性光学式膜厚检测
● 采用分光干涉法实现高度检测再现性
● 可进行高速的即时研磨检测
● 可穿越保护膜、观景窗等中间层的检测
● 可对应长工作距离、且容易安裝于产线或者设备中
● 体积小、省空間、设备安装简易
● 可对应线上检测的外部信号触发需求
● 采用最适合膜厚检测的独自解析演算法。(已取得专利)
● 可自动进行膜厚分布制图(选配项目)
规格式样
SF-3 | |
膜厚测量范围 | 0.1 μm ~ 1600μm※1 |
膜厚精度 | ±0.1% 以下 |
重复精度 | 0.001% 以下 |
测量时间 | 10msec 以下 |
测量光源 | 半导体光源 |
测量口径 | φ27μm※2 |
WD | 3 mm ~ 200 mm |
测量时间 | 10msec 以下 |
※1 随光谱仪种类不同,厚度测量范围不同
※2 最小φ6μm
